2019年1月4日
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徐永兵教授受邀在材料科学顶级期刊《Progress in Materials Science》上发表特邀论文

十大网赌平台电子科学与工程学院徐永兵教授应邀在国际顶级学术期刊《Progress in Materials Science》上发表题为“混合自旋电子材料:生长,结构和性质”的长期客座评论论文。工程技术与材料科学[材料科学进展] 99(2019)27-105。

本文总结和预测了从第一代GMR(高密度存储)到MRAM(磁存储器芯片)到未来SFET(自旋芯片)的自旋电子学的发展。本文重点介绍了徐永兵教授多年来的研究成果,讨论了自旋电子材料和器件的发展,结构性能和器件应用。自旋电子学的发展和应用表明,基于旋转调节的新时代将取代调节电荷的时代,未来将导致数据存储和处理技术的革命。例如,磁随机存取存储器(MRAM)具有许多优点,例如非易失性存储数据,长寿命,低功耗,抗辐射等,并且在工业自动化,嵌入式计算,网络和数据领域中是重要的。存储,汽车和航空航天。它具有很大的应用价值,原则上可以取代各种类型的存储器应用,并成为未来的通用存储器。同时,本文还指出了自旋电子学的未来发展方向,特别是可用于信息存储和处理集成的自旋芯片的新材料和新技术。

图1.电子技术的演变。

材料科学进展是国际工程,材料科学,材料物理和化学领域的权威性评论,对材料科学和工程具有重要意义。徐永兵教授是该论文的作者。第一作者是手机赌博网站 - 约克大学国际自旋神经联合中心的刘文清教授。这项工作由基金项目资助,如973国家重大研发计划量子控制项目和国家重大科研仪器开发项目。

(电子科学与工程学院,科学技术部)